- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 5.3A... |
1 | 58,675 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 11A... |
1 | 5,932 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 70A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 6,490 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 200M... |
1 | 69,447 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 160M... |
1 | 2,987 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300M... |
1 | 191,120 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180M... |
1 | 33,149 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 900M... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 5,716 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 380M... |
1 | 5,377 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V PW... |
1 | 24,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 1,301 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820M... |
1 | 7,900 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,967 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.5A... |
1 | 1,788 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300M... |
1 | 1,618 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 550M... |
1 | 7,440 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 700M... |
1 | 6,056 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 550M... |
1 | 3,671 | 加入询价 |
