- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 14,414 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 310... |
1 | 3,659 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 4,308 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 9,950 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 50A... |
1 | 4,786 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 6.5A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 18A... |
1 | 7,475 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310M... |
1 | 416,935 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.8A... |
1 | 375,242 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 91,649 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
1 | 46,680 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 4A ... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.8... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 3,000 | 加入询价 |
