- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 4.2A... |
1 | 12,492 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 600... |
1 | 13,307 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 450M... |
1 | 4,565 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 150V 2A... |
1 | 17,285 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.6A... |
1 | 30,760 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 260... |
1 | 39,763 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 120V 90A... |
1 | 7,045 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6... |
1 | 2,121 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 3,145 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 335M... |
1 | 40,620 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 503,964 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 12,626 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 540M... |
1 | 27,782 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 900M... |
1 | 9,484 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200M... |
1 | 103,465 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 14,365 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820M... |
1 | 5,305 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.1A... |
1 | 22,256 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 3,625 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.9A... |
1 | 118,208 | 加入询价 |
