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- 封装/外壳：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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1,466 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1200V 15... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 47A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 300V 76A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 144... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1000V 38... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 77A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 225... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1200V 19... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1000V 38... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 200V 176... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 200V 176... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 800V 44A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 800V 44A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 88A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1000V 34... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1000V 34... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 800V 51A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1000V 30... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
