- 品牌：
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- Diodes Incorporated (11)
- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- ON Semiconductor (19)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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38 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 29,510 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.1... |
1 | 14,015 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 1,430 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
1 | 1,857 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.9A... |
1 | 1,411 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1A ... |
1 | 195 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 1.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
