- 品牌：
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- Diodes Incorporated (29)
- Intersil（瑞萨电子公司） (3)
- ON Semiconductor (9)
- PANJIT (2)
- ROHM Semiconductor (33)
- YANGJIE (1)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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102 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 280M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 160M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 43V 1A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 12V 4.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE |
1 | 2,000 | 加入询价 |
