单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

工作温度：

封装/外壳：

供应商器件封装：

技术：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	G3R60MT07J	GeneSiC Semiconductor	750V 60M TO-263-7 G3R S...	1	1,721	加入询价
	BUK7M5R0-40HX	Nexperia	MOSFET N-CH 40V 85A...	1	2,000	加入询价
	BUK7M4R3-40HX	Nexperia	MOSFET N-CH 40V 95A...	1	2,000	加入询价

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