- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- ON Semiconductor (8)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 72A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 40 V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 45 V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 40V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 161A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
