- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 1,008,712 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 145,341 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 28,199 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 48,104 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A ... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 5.9A... |
1 | 1,046 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 28V 1.6A... |
1 | 1,610 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 5.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 28V 3.8A... |
1 | 519 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A... |
1 | 311,267 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 150A... |
1 | 33 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P CH 20V 4.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 350M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 350M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
