- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (32)
- Infineon Technologies (190)
- Intersil（瑞萨电子公司） (80)
- Microchip Technology (13)
- Nexperia (61)
- ON Semiconductor (187)
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- YANGJIE (4)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 技术：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
1,101 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET 1200V 25A TO-... |
1 | 7 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET 90A 650V X3 T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Nexperia | MOSFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.36... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMPB30XPE/SOT1220/S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMPB29XNEA/SOT1220/... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A ... |
1 | 2,706 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1.5V DRIVE PCH MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 10,000 | 加入询价 |
