25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 5A...
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BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A...
1 2,000 加入询价
BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11....
1 2,000 加入询价
BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A...
1 2,000 加入询价
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15....
1 2,000 加入询价
BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A...
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FDMS037N08B ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A...
1 2,000 加入询价
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 19A...
1 2,000 加入询价
BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 13....
1 2,000 加入询价
BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 16A...
1 2,000 加入询价
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A...
1 2,000 加入询价
NTMTS0D7N04CTXG ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 65A...
1 2,000 加入询价
NTMTS1D6N10MCTXG ON Semiconductor
SINGLE N-CHANNEL...
1 2,000 加入询价
NTMTS001N06CTXG ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 53.7...
1 2,000 加入询价
BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11....
1 2,000 加入询价
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A...
1 2,000 加入询价
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A...
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BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10....
1 2,000 加入询价
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.1...
1 2,000 加入询价
IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 3.2...
1 2,000 加入询价
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