- 品牌：
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- Diodes Incorporated (48)
- ON Semiconductor (35)
- Vishay / Siliconix (33)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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216 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 19.... |
1 | 675 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 23A... |
1 | 821 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 15,761 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-40A,RD(MAX)<30M... |
1 | 4,937 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.8... |
1 | 4,564 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 5.2... |
1 | 4,248 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V, 11A,RD<360M@10V,... |
1 | 4,900 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 3,016 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 21A... |
1 | 2,521 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11.... |
1 | 4,076 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 35A... |
1 | 3,443 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A... |
1 | 71 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 110A... |
1 | 930 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 26 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | EF SERIES POWER M... |
1 | 49 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.2... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A... |
1 | 47 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 8.6... |
1 | 23 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
