- 品牌：
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- Diodes Incorporated (15)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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28 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 19.5... |
1 | 8,046 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 1,890 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,209 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 4.5A... |
1 | 1,517 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 16A,RD<10M@10V,V... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A... |
1 | 2,469 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 135A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 30V 640M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 30V 640M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
