- 品牌：
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- Diodes Incorporated (132)
- ON Semiconductor (41)
- Goford Semiconductor (11)
- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<850M@10V... |
1 | 5,894 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<23M@-10V... |
1 | 6,677 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<150M@10V... |
1 | 7,648 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N190V, 3A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,439 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 66 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.7A... |
1 | 609 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
1 | 211 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<210M@10V... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 500M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 220M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 500M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 80M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
