- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- Littelfuse (7)
- Microsemi (3)
- Transphorm (4)
- UMW (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 13,017 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 126 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 3,625 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 25A... |
1 | 7,948 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 1,998 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 493 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 25A... |
1 | 2,413 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 25 A GAN FET |
1 | 399 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-25A,RD(MAX)<70M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 25A,RD<15M@10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<45M@-10V... |
1 | 4,450 | 加入询价 | |
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UMW | TO-252 N-CHANNEL PO... |
1 | 2,472 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<10.5M@10... |
1 | 209 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
