- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 780 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 40V 8A ... |
1 | 2,880 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 420A... |
1 | 586 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 120A... |
1 | 1,459 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 58A... |
1 | 115 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 54A... |
1 | 700 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A... |
1 | 575 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A... |
1 | 850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 160A... |
1 | 985 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 56A... |
1 | 817 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A... |
1 | 23 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 217A... |
1 | 15,382 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V PG-TD... |
1 | 8 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
