- 品牌：
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- ON Semiconductor (7)
- STMicroelectronics (25)
- Littelfuse (5)
- PANJIT (8)
- UMW (2)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,451 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 1,779 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-252, LOW-N... |
1 | 2,480 | 加入询价 | |
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UMW | TO-252 N-CHANNEL PO... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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UMW | TO-252 N-CHANNEL PO... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.6... |
1 | 1,603 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 2,317 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 1,896 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 1,675 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 283 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 695 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 969 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 8A... |
1 | 52 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 132 ... |
1 | 46 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 551 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 264 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
