- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 4A TO-252, LOW-NO... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 9A TO-252, LOW-NO... |
1 | 1,940 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,470 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,488 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 7A TO-252, LOW-NO... |
1 | 2,487 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-252, LOW-N... |
1 | 2,480 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.6... |
1 | 1,603 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 2,317 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 1,896 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 1,675 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 551 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 264 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 650V 300... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
