- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (7)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 670... |
1 | 1,134 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A... |
1 | 22,916 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 960... |
1 | 2,800 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 960... |
1 | 8,969 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,418 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD<0.7@1... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 200... |
1 | 889 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 200V 550... |
1 | 10,786 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 850... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 320... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 320... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 960... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 960... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 960... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 320... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
