- 品牌：
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- Diodes Incorporated (38)
- ON Semiconductor (9)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 1,164 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 448,548 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.7A... |
1 | 139,128 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.6A... |
1 | 20,053 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET N-CH 60V 250M... |
1 | 22,348 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 120M... |
1 | 2,393 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 15,583 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<120M@-10V... |
1 | 17,712 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 66 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 500M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 180M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 900M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 250M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
