- 品牌：
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- Diodes Incorporated (19)
- ON Semiconductor (7)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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28 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 120M... |
1 | 2,393 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<120M@-10V... |
1 | 17,712 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 180M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 400M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 90M... |
1 | 72 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 900M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | FET -60V 10.0 MOHM SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 900M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
