- 品牌：
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- Diodes Incorporated (76)
- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Nexperia (27)
- ON Semiconductor (45)
- Panasonic (5)
- PANJIT (10)
- ROHM Semiconductor (41)
- UMW (4)
- Vishay / Siliconix (99)
- YANGJIE (2)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
-
537 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 48,104 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.5A... |
1 | 26,005 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMCB60XN/NAX000/NON... |
1 | 13,957 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 90,827 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 6,745 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.2A... |
1 | 44,417 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 27,835 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 15,626 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
1 | 4,826 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.7A... |
1 | 9,236 | 加入询价 | |
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|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 10,903 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 9.9A... |
1 | 43,963 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.7A... |
1 | 138,415 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A ... |
1 | 16,255 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 3,086 | 加入询价 | |
|
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 12,130 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
1 | 11,787 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3... |
1 | 5,995 | 加入询价 | |
|
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4MI... |
1 | 5,948 | 加入询价 |
