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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 已选条件：
593 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N CH SMD |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 88A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
1 | 393 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A... |
1 | 1,738 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
1 | 95 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
1 | 2,415 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A... |
1 | 4,815 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.9... |
1 | 3,302 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 5.3A... |
1 | 1,164 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
1 | 1,436 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.3A... |
1 | 18 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
1 | 1,727 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 911 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 2... |
1 | 78 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.4A... |
1 | 1,594 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | IC MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 |
