- 品牌:
-
- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (45)
- Vishay / Siliconix (29)
- YANGJIE (2)
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
- 功率耗散(最大值):
-
135 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 13A... |
1 | 910 | 加入询价 | |
![]() |
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,358 | 加入询价 | |
![]() |
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A... |
1 | 1,395 | 加入询价 | |
![]() |
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7... |
1 | 1,678 | 加入询价 | |
![]() |
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7... |
1 | 1,110 | 加入询价 | |
![]() |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 1,989 | 加入询价 | |
![]() |
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 17A... |
1 | 2,865 | 加入询价 | |
![]() |
Goford Semiconductor | N200V, 2A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,946 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 40V 5.8M OPTIMOS MO... |
1 | 9,970 | 加入询价 | |
![]() |
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2... |
1 | 751 | 加入询价 | |
![]() |
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.3A... |
1 | 121 | 加入询价 | |
![]() |
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 19A... |
1 | 248 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V,6... |
1 | 359 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A... |
1 | 8,785 | 加入询价 | |
![]() |
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 9 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 4.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
![]() |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
![]() |
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |