- 品牌：
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- Diodes Incorporated (107)
- ON Semiconductor (24)
- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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196 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 39,566 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 6,745 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 66,882 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.7A... |
1 | 9,236 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 20,807 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 503,964 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.4A... |
1 | 15,910 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.3A... |
1 | 79,783 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 1,301 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,294 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 8,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<23M@-10V... |
1 | 6,677 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<60M@-10V... |
1 | 2,170 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.7A... |
1 | 609 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
1 | 211 | 加入询价 |
