- 品牌：
-
- Texas Instruments (10)
- Diodes Incorporated (123)
- Intersil（瑞萨电子公司） (11)
- Nexperia (15)
- ON Semiconductor (1)
- STMicroelectronics (37)
- PANJIT (26)
- ROHM Semiconductor (26)
- YANGJIE (2)
- 安装类型：
-
- 工作温度：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
426 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
1 | 2,980 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 70A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V PW... |
1 | 3,850 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 80A... |
1 | 44,160 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A... |
1 | 775 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
1 | 20,702 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A... |
1 | 2,132 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 150A... |
1 | 8,715 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 7,660 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 20A... |
1 | 5,326 | 加入询价 | |
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Nexperia | PXP9R1-30QL/SOT8002/M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A... |
1 | 12,004 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | PXP6R7-30QL/SOT8002/M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 47A... |
1 | 8,495 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Nexperia | PXP018-30QL/SOT8002/M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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|
PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 30V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 8,468 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 3,000 | 加入询价 |
