- 品牌：
-
- ON Semiconductor (9)
- UnitedSiC (4)
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 3,110 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 120... |
1 | 2,649 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 393 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 13,504 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 626 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 450 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 634 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 206 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 15 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 65 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
