- 品牌：
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- ON Semiconductor (24)
- STMicroelectronics (18)
- ROHM Semiconductor (20)
- Wolfspeed (21)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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124 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 800 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 144 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 626 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 634 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 570 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 206 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 163 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 627 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 161 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | 650V 120M SIC MOSFET |
1 | 1,094 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | 650V 120M SIC MOSFET |
1 | 945 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 858 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 786 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | 60M 650V SIC AUTOMO... |
1 | 360 | 加入询价 |
