数据列表

S9S12GN16BVTJR

EEPROM 容量 :

512 x 8

I/O 数 :

14

RAM 大小 :

1K x 8

供应商器件封装 :

20-TSSOP

内核规格 :

16 位

外设 :

LVD，POR，PWM，WDT

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 105°C（TA）

振荡器类型 :

内部

数据转换器 :

A/D 8x10b

核心处理器 :

12V1

电压 - 供电 (Vcc/Vdd) :

3.13V ~ 5.5V

程序存储器类型 :

闪存

程序存储容量 :

16KB（16K x 8）

连接能力 :

IrDA，LINbus，SCI，SPI

速度 :

25MHz