数据列表

1SD312F2-CM600HB-90H

上升/下降时间（典型值） :

100ns，100ns

供应商器件封装 :

模块

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

15.5V ~ 16.8V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

12A，12A

输入类型 :

-

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

-

驱动器数 :

1

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-