数据列表

IXDE509SIAT/R

上升/下降时间（典型值） :

25ns，23ns

供应商器件封装 :

8-SOIC

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 30V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

9A，9A

输入类型 :

反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2.4V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

低端

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-