数据列表

IR2011STR

上升/下降时间（典型值） :

35ns，20ns

供应商器件封装 :

8-SOIC

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

1A，1A

输入类型 :

反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.7V，2.2V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

高压侧或低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

200 V