数据列表

IR2135STR

上升/下降时间（典型值） :

90ns，40ns

供应商器件封装 :

28-SOIC

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

工作温度 :

125°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

250mA，500mA

输入类型 :

反相

通道类型 :

3 相

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2.2V

驱动器数 :

6

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

600 V