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NCP303150MNTWG

上升/下降时间（典型值） :

17ns，26ns

供应商器件封装 :

39-PQFN（5x6）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

39-PowerVFQFN

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 5.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

100mA，100mA

输入类型 :

非反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.65V，2.7V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥，低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

30 V