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MD1213K6-G

上升/下降时间（典型值） :

6ns，6ns

供应商器件封装 :

12-QFN（4x4）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

12-VQFN 裸露焊盘

工作温度 :

-20°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 13V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

2A，2A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.3V，1.2V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-