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NCP5111DR2G

上升/下降时间（典型值） :

85ns，35ns

供应商器件封装 :

8-SOIC

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

250mA，500mA

输入类型 :

非反相

通道类型 :

同步

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2.3V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

600 V