数据列表

LF2136BTR

上升/下降时间（典型值） :

90ns，35ns

供应商器件封装 :

28-SOIC

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

工作温度 :

150°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

200mA，350mA

输入类型 :

非反相

通道类型 :

3 相

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2.4V

驱动器数 :

3

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

600 V