数据列表

NCV5702DR2G

上升/下降时间（典型值） :

9.2ns，7.9ns

供应商器件封装 :

16-SOIC

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TA）

栅极类型 :

IGBT

电压 - 供电 :

20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

1A，1A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

同步

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.75V，4.3V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-