数据列表

LM5113TME/NOPB

上升/下降时间（典型值） :

7ns，1.5ns

供应商器件封装 :

12-DSBGA

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

12-WFBGA，DSBGA

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 5.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

1.2A，5A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

1.76V，1.89V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

107 V