数据列表

UP1966E

上升/下降时间（典型值） :

8ns，4ns

供应商器件封装 :

12-WLCSP-B（1.6x1.6）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

12-UFBGA，WLCSP

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

增强模式 GaN FET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 5.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

7.1A，12.5A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.5V，2.3V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

85 V