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RM25C256DS-LSNI-T

供应商器件封装 :

8-SOIC

写周期时间 - 字，页 :

100µs，2.5ms

存储器接口 :

SPI

存储器格式 :

CBRAM®

存储器类型 :

非易失

存储器组织 :

64 字节页大小

存储容量 :

256Kb

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

技术 :

CBRAM

时钟频率 :

20 MHz

电压 - 供电 :

1.65V ~ 3.6V

访问时间 :

-