产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NAND08GW3C2BN6E
产品详情
- 供应商器件封装 :
- 48-TSOP
- 写周期时间 - 字,页 :
- 25ns
- 存储器接口 :
- 并联
- 存储器格式 :
- 闪存
- 存储器类型 :
- 非易失
- 存储器组织 :
- 1G x 8
- 存储容量 :
- 8Gb
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 工作温度 :
- -40°C ~ 85°C(TA)
- 技术 :
- 闪存 - NAND
- 时钟频率 :
- -
- 电压 - 供电 :
- 2.7V ~ 3.6V
- 访问时间 :
- 25 ns
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR03BX473AKWS\1
CDR03BX333BKUM\M1K
CDR03BX223BKUR\1K
CDR03BP681BKWP\M1K
CDR03BX333BKSR\M1K
CDR03BX223BKUP\1K
CDR03BX473AKWP\1
CDR03BX683AKUP\M1K
CDR03BP681BKWS\M1K
CDR03BX683AKUR\M1K
CDR03BX393AKUM\M1K
CDR03BP102BKSR\1K
CDR03BX333BKUR\M1K
CDR03BX393AKUS\M1K
CDR03BP102BKUM\M1K
CDR03BP681BKWR\M1K
CDR03BX333BKSM\M1K
CDR03BP102BKSM\M1K
CDR03BP102BKUP\M1K
CDR03BP102BKUS\M1K
