数据列表

DS1265W-100IND

供应商器件封装 :

36-EDIP

写周期时间 - 字，页 :

100ns

存储器接口 :

并联

存储器格式 :

NVSRAM

存储器类型 :

非易失

存储器组织 :

1M x 8

存储容量 :

8Mb

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

技术 :

NVSRAM（非易失性 SRAM）

时钟频率 :

-

电压 - 供电 :

3V ~ 3.6V

访问时间 :

100 ns