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DS1230AB-200IND

供应商器件封装 :

28-EDIP

写周期时间 - 字，页 :

200ns

存储器接口 :

并联

存储器格式 :

NVSRAM

存储器类型 :

非易失

存储器组织 :

32K x 8

存储容量 :

256Kb

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

技术 :

NVSRAM（非易失性 SRAM）

时钟频率 :

-

电压 - 供电 :

4.75V ~ 5.25V

访问时间 :

200 ns