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FAM65HR51DS2

IGBT 类型 :

-

NTC 热敏电阻 :

无

不同 Vce 时输入电容 (Cies) :

4.86 nF @ 400 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

-

功率 - 最大值 :

135 W

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

-

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

33 A

电流 - 集电极截止（最大值） :

-

输入 :

标准

配置 :

半桥逆变器