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- 数据列表
- APTGT50DH60TG
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 是
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 3.15 nF @ 25 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 1.9V @ 15V，50A
- 供应商器件封装 :
- SP4
- 功率 - 最大值 :
- 176 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SP4
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 80 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 250 µA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 非对称桥
采购与库存
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