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NXH200T120H3Q2F2STNG

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

NTC 热敏电阻 :

无

不同 Vce 时输入电容 (Cies) :

35.615 nF @ 25 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.3V @ 15V，200A

供应商器件封装 :

56-PIM/Q2PACK（93x47）

功率 - 最大值 :

679 W

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

330 A

电流 - 集电极截止（最大值） :

500 µA

输入 :

标准

配置 :

半桥