产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DF200R07W2H3B77BPSA1
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 是
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 2950 pF @ 650 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 2V @ 15V，50A
- 供应商器件封装 :
- AG-EASY2B
- 功率 - 最大值 :
- 20 mW
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C（TJ）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 70 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 21 µA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 三级反相器
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012P-2801-P-T1
RG2012P-2871-P-T1
RG2012P-2941-P-T1
RG2012P-3011-P-T1
RG2012P-3091-P-T1
RG2012P-3161-P-T1
RG2012P-3241-P-T1
RG2012P-3321-P-T1
RG2012P-3401-P-T1
RG2012P-3481-P-T1
RG2012P-3571-P-T1
RG2012P-3651-P-T1
RG2012P-3741-P-T1
RG2012P-3831-P-T1
RG2012P-3921-P-T1
RG2012P-4021-P-T1
RG2012P-4121-P-T1
RG2012P-4221-P-T1
RG2012P-4321-P-T1
RG2012P-4421-P-T1
