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AIHD10N60RFATMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

12ns/168ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.5V @ 15V，10A

供应商器件封装 :

PG-TO252-3-313

功率 - 最大值 :

150 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

190µJ（开），160µJ（关）

栅极电荷 :

64 nC

测试条件 :

400V，10A，26 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

30 A

输入类型 :

标准