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- 数据列表
- HGT1S7N60A4DS
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 11ns/100ns
- IGBT 类型 :
- -
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.7V @ 15V,7A
- 供应商器件封装 :
- D²PAK(TO-263)
- 功率 - 最大值 :
- 125 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 34 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 开关能量 :
- 55µJ(开),60µJ(关)
- 栅极电荷 :
- 37 nC
- 测试条件 :
- 390V,7A,25 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 34 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 56 A
- 输入类型 :
- 标准
采购与库存
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